勻膠旋涂機(jī)適應(yīng)于半導(dǎo)體硅片，載玻片，晶片，基片，ITO導(dǎo)電玻璃等工藝，制版的表面涂覆。該產(chǎn)品具有轉(zhuǎn)速穩(wěn)定和啟動(dòng)迅速等優(yōu)點(diǎn)，并能保證半導(dǎo)體材料中涂膠厚度的一致性和均勻性。通常配無油真空泵一起使用。其主要用于光刻膠涂布、涂硼等工藝過程，該設(shè)備具有勻膠效率高，使用方便等特點(diǎn)。其勻膠速度、時(shí)間分多個(gè)時(shí)段，并分別無級可調(diào)。電器線路可靠，電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)平穩(wěn)，特別是電機(jī)轉(zhuǎn)矩大，優(yōu)于同類產(chǎn)品。

　　產(chǎn)品特點(diǎn)：

　　濕度、相對濕度、高溫露點(diǎn)、％Vol四種顯示方式隨意切換；

　　OLED主動(dòng)發(fā)光顯示，顯示直觀，操作簡單方便；

　　*傳感器芯片，能有效保證儀器精度和使用壽命；

　　內(nèi)部帶溫度補(bǔ)償功能，減小溫度變化對濕度測量精度的影響。

　　勻膠旋涂機(jī)使用步驟分析解讀：

　　1.滴膠

　　在滴膠前，膠質(zhì)需經(jīng)過亞微米級別的過濾處理，否則薄膜有可能形成彗星圖，星狀圖，戒產(chǎn)生氣泡。滴膠階段是將膠質(zhì)溶劑沉積在基片上中心位置的過程?？梢允謩?dòng)滴加，或用配備的自動(dòng)滴膠器滴加。一般而言，自動(dòng)滴膠方式由亍是自動(dòng)機(jī)械化操作，終薄膜的厚度，均勻性，及可重復(fù)性都很好，也可以減少易揮發(fā)的毒性氣體不身體接觸。而手動(dòng)滴膠是人工操作，適合實(shí)驗(yàn)研究要求較高的薄膜制備。滴膠過程可采用靜態(tài)滴膠或者動(dòng)態(tài)滴膠兩種方式，靜態(tài)滴膠是在基片旋轉(zhuǎn)之前就將膠質(zhì)滴加沉積在基片中心，動(dòng)態(tài)滴膠則是基片一邊以一定的速度旋轉(zhuǎn)（一般是500RPM），一邊滴膠。如果膠質(zhì)或基片是疏水性的，可以選擇動(dòng)態(tài)滴膠法，另外動(dòng)態(tài)滴膠法所需的滴膠量也可以略少。

　　2.攤膠-加速旋轉(zhuǎn)

　　有些膠質(zhì)中的溶劑揮發(fā)性很強(qiáng)，如果基片沒有在短時(shí)間內(nèi)穩(wěn)定快速的加速到設(shè)定的速度，膠質(zhì)中的溶劑就會(huì)快速揮發(fā)，從而導(dǎo)致膠質(zhì)的粘性迅速增強(qiáng)，從而影響對涂層厚度的控制。加速旋轉(zhuǎn)階段中基片以一定的加速度旋轉(zhuǎn)，膠質(zhì)溶劑開始向基片邊緣擴(kuò)散，會(huì)有部分膠質(zhì)開始被甩出基片，在加速初始階段，膠質(zhì)是以一定的高度堆積在基片表面，膠質(zhì)的底部與基片表面粘在一起，一起旋轉(zhuǎn)。而膠質(zhì)的上層由于慣性作用，其轉(zhuǎn)速無法與基片同速，因此膠質(zhì)形成螺旋狀。隨著膠質(zhì)在離心力作用下持續(xù)向基片邊緣擴(kuò)散，螺旋狀逐漸消失，膠質(zhì)變薄為涂層，并覆蓋基片表面，涂層基片旋轉(zhuǎn)速度*同步。在基片的加速旋轉(zhuǎn)階段，旋轉(zhuǎn)速度高精度的控制，以及旋轉(zhuǎn)時(shí)間的準(zhǔn)確設(shè)置非常重要。其實(shí)，無論膠質(zhì)具有怎樣的性質(zhì)，勻膠旋涂機(jī)都需具備高精度，穩(wěn)定的馬達(dá)旋轉(zhuǎn)速度控制系統(tǒng)，這樣才可以制作厚度均勻可控的薄膜。

　　3.旋涂去邊

　　在勻速旋轉(zhuǎn)階段中，膠質(zhì)的粘性力和揮發(fā)作用是影響薄膜厚度不均勻性的重要因素。膠質(zhì)溶劑在加速旋轉(zhuǎn)至設(shè)定速度時(shí)，已經(jīng)形成一定厚度的涂層。在接下來的勻速旋轉(zhuǎn)過程中，由于膠體的粘性力仍然小于所受到的離心力，涂層持續(xù)向基片邊緣擴(kuò)散，基片邊緣的膠質(zhì)也不斷地被甩出，涂層厚度逐漸減小。同時(shí)，由于涂層已覆蓋整個(gè)基片表面，受基片上方快速流動(dòng)的氣流影響，溶劑的揮發(fā)速度加快，導(dǎo)致膠體的粘性力也不斷增加，開始形成難以流動(dòng)的膠狀物。此時(shí)，膠質(zhì)涂層所受到的各個(gè)方向的力達(dá)到平衡，涂層的厚度也達(dá)到終狀態(tài)。之后，在涂層薄膜的邊緣部位，膠質(zhì)表面張力的作用，薄膜邊緣部分的膠質(zhì)難以被甩出基片，會(huì)形成厚度不均勻的薄層，甚至?xí)U(kuò)張至基片的背面，因此基片邊緣需要經(jīng)過去邊處理。去邊處理包括基片正面和背面的化學(xué)去邊處理，以及基片正面的光學(xué)去邊處理。