PECVD沉積

簡要描述：PECVD沉積可選配一個(gè)三極管（Triode）或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應(yīng)力。

產(chǎn)品型號(hào)： Minilock-Orion III PECVD

所屬分類：PECVD沉積

更新時(shí)間：2024-06-17

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

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詳情介紹

　　PECVD沉積

　　Minilock-Orion III是一套zui xian jin的等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)。系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據(jù)電極配置，可以處理單個(gè)基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸)，或者多尺寸批處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。

　　Minilock-Orion III用于有毒/發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物、無定形硅和碳化硅。工藝氣體：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、*基硅烷和甲烷。

　　該系統(tǒng)可選配一個(gè)三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應(yīng)力。

　　基片通過預(yù)真空室裝入工藝室，其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產(chǎn)品接觸，從而提高了用戶的安全性。預(yù)真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而保持反應(yīng)室與大氣隔絕。