IBM離子銑

NIM-4000（M）離子銑系統(tǒng)產(chǎn)品概述：利用離子束轟擊固體表面的濺射作用，剝離加工各種幾何圖形，通過大面積離子源產(chǎn)生的離子束，可對(duì)固體材料濺射刻蝕，對(duì)固體器件進(jìn)行微細(xì)加工。該系統(tǒng)為全自動(dòng)上下載片，計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的系統(tǒng)。

NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時(shí)，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)到想要的均勻度。

NIM-4000（M）離子銑系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 14.5"不銹鋼立體離子束腔體
• 16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動(dòng)不銹鋼遮板
• 離子束中和器
• 氬氣MFC
• 6"水冷樣品臺(tái)
• 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進(jìn)電機(jī)
• 步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜
• 自動(dòng)上下載晶圓片
• 典型刻蝕速率：銅200 Å/min, 硅：500 Å/min
• 6"范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%
• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級(jí)別（配套500 l/s渦輪分子泵）
• 配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達(dá)8x10-8Torr
• 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化
• 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
• 菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問保護(hù)
• 完整的安全聯(lián)鎖

 Features：

• 14.5" SS Cube ion beam chamber
• 16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shutters
• Ion Beam neutralizer
• Ar MFC
• Chilled water cooled 6" substrate platen
• Wafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motor
• Wafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational seal
• Manual wafer load/unload
• Typical Etch Rates: 200 Å/min Cu, 500 Å/min Si
• +/-3% etch uniformity over 6“ area
• 5x 10^-6 Torr < 20 minutes <2 x10^-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo
• 8x10^-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pump
• Magnetron Sputtering of Si₃N₄ to protect etched metal surfaces from oxidation
• PC Controlled with LabVIEW Software
• Recipe Driven, Password Protected
• Fully Safety Interlocked