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NIE-3500（R）RIBE反應(yīng)離子束刻蝕：可以用于光柵刻蝕，SiO2二氧化硅、Si 硅以及金屬等的深槽刻蝕。此外，還可以用于表面清洗、表面處理、離子銑。系統(tǒng)可以兼容反應(yīng)氣體以及非反應(yīng)氣體，比如Ar，O2，CF4，Cl2等。

NIE-3500（M）IBE離子束刻蝕：是一款手動放片/取片，但工藝過程為全自動計(jì)算機(jī)控制的緊湊型獨(dú)立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗、表面處理、離子銑。

NIE-3500（A）全自動IBE離子束刻蝕：是一款自動放片/取片，并且工藝過程為全自動計(jì)算機(jī)控制的緊湊型獨(dú)立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗、表面處理、離子銑。

NIE-3000IBE離子束刻蝕：是一款手動放片/取片，但工藝過程為全自動計(jì)算機(jī)控制的臺式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗、表面處理、離子銑等。

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。